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Polaris系列 12英寸通用物理氣相沉積系統，磁控濺射源和腔室結構的設計有效提高靶材利用率。

HORIC L200 系列 臥式 LPCVD 氣相沉積系統，半導體客戶端機臺裝機量大,可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺.可提供優良成熟的 MES 系統解決方案.優異的工藝技術支持。

Scaler HK430 熱原子層沉積系統，填孔能力以及良好的薄膜均勻性,腔室結構設計，具備良好的防酸腐蝕能力。

EPEE系列 等離子化學氣相沉積系統 單片和多片式架構，滿足量產和研發客戶需求高效遠程等離子體清洗系統，優異的顆粒控制.滿足量產和研發客戶需求.

MARS iCE115碳化硅外延系統主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術路線，應用優良的控溫、控壓算法和專業的進氣、混流結構，使得整個外延工藝過程中熱場和氣流場均勻穩定。工藝指標如厚度均勻性、摻雜濃度均勻性、缺陷密度等均達到了行業優良水平。

Satur系列 多片式MOCVD系統，優異的均勻性、一致性、穩定性控制，MOCVD 即金屬有機物化學氣相沉積，是一種用于生長化合物半導體薄膜的技術。它通過將Ⅲ族元素的有機化合物和氨氣或氧氣等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。