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當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  3 CVD  >  MARS iCE115碳化硅外延系統

碳化硅外延系統

簡要描述:MARS iCE115碳化硅外延系統主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術路線,應用優良的控溫、控壓算法和專業的進氣、混流結構,使得整個外延工藝過程中熱場和氣流場均勻穩定。工藝指標如厚度均勻性、摻雜濃度均勻性、缺陷密度等均達到了行業優良水平。

  • 產品型號:MARS iCE115
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2025-06-05
  • 訪  問  量: 485

詳細介紹

1. 產品概述

MARS iCE115 碳化硅外延系統,薄膜和厚膜外延兼容,工藝穩定性高。

2. 設備用途/原理

MARS iCE115 碳化硅外延系統薄膜和厚膜外延兼容,工藝穩定性高具備多層外延能力氣流場和加熱場設計,工藝性能優異可靠的壓力控制系統,成膜質量均一性好

3. 設備特點

晶圓尺寸 4、6 英寸適用材料 碳化硅 SiC適用工藝 N&P 碳化硅外延,適用域 科研、化合物半導體。?碳化硅外延系統的工作原理主要依賴于化學氣相沉積(CVD)技術。?這一技術通過載氣將反應氣體輸送到反應室內,在一定的溫度和壓力條件下,反應氣體分解并發生化學反應,形成中間化合物擴散到碳化硅襯底表面,從而生長出外延層。這種外延生長技術能夠有效地控制摻雜濃度和薄膜厚度,以滿足設計要求,同時減少襯底中的缺陷,提高器件良率。反應室內的氣流場和溫度場對碳化硅外延生長至關重要,因為它們直接影響外延層的質量和均勻性。

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