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當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  1 光刻設備

  • MA12有掩膜光刻機

    1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機 2.高分辨率掩模對準光刻,特征尺寸優于0.5微米 3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸 4.經過特殊設計,方便處理各種非標準基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料,包括砷化鎵和磷化銦 5.設備可通過選配升級套件,實現紫外納米壓印光刻

    更新時間:2024-09-06
    型號:MA12
    廠商性質:經銷商
    瀏覽量:1401
  • UV Litho-ACA無掩膜/激光直寫光刻機

    無掩膜/激光直寫光刻機 參數:1. 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器 2. 線寬:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率:可達到3000mm2/min@5μm4. XY行程:55~205mm5. 樣品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inch6.應用領域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光學元件、*進芯片封裝、光通訊。

    更新時間:2024-09-06
    型號:UV Litho-ACA
    廠商性質:經銷商
    瀏覽量:2512
  • eLINE Plus電子束光刻系統

    電子束光刻系統 技術參數: 1.最小線寬≤8nm 光柵周期≤40nm 2.50KV加速電壓下,寫場可在0.5μm~500μm的范圍內連續可調 3.肖特基熱場發射電子束源,最高加速電壓≥50kv,束電流范圍至少為50pA~40nA,最大束電流≥40nA

    更新時間:2024-09-06
    型號:eLINE Plus
    廠商性質:經銷商
    瀏覽量:1229
  • GL6 R&D納米壓印系統

    納米壓印系統 簡介:1. 兼容基底尺寸:直徑≤100mm2. 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等3. 納米壓印技術:旋涂膠基底高精度壓印&點膠自動找平壓印、旋涂膠基底壓印、點膠自動找平壓印模式4. 壓印精度:優于10nm5. 結構深寬比:優于10:1

    更新時間:2024-09-06
    型號:GL6 R&D
    廠商性質:經銷商
    瀏覽量:1296
  • customized等離子清洗&去膠機

    等離子清洗&去膠機 產品簡介: 1) 用途:材料清洗、材料活化、材料刻蝕、材料涂覆 (2) 80 kHz:功率 1000 或 3000 W (3) 13.56 MHz:功率 0 - 300 W;0 - 600 W;0 - 1000 W (4) Hz:功率 0 - 1200 W (5) 所有發生器均為 0 - 100% 無級可調型 (6) 圓形不銹鋼,帶鉸鏈的門(約 φ400 mm,

    更新時間:2024-09-06
    型號:customized
    廠商性質:經銷商
    瀏覽量:1003
  • WS-1000MH濕法勻膠工作臺

    Laurell的WS-1000MH系列微型濕法勻膠工作臺適用于更狹小的空間和較小的預算。這個簡單的工作站被提煉出真正的濕式工作站必須具備的精髓,以實現最大的經濟性。

    更新時間:2024-09-05
    型號:WS-1000MH
    廠商性質:經銷商
    瀏覽量:375
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