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1.是高潔凈度的沖洗旋干設備。主要系應用于硅晶圓、掩模板、太陽能電池等材料的高潔凈度沖洗旋干。設備具有單工作室、雙工作室兩種結構。 2.產品類型：有立式單腔，雙腔晶圓甩干機(2-12寸)，水平多工位甩干機(2-12寸) 3.單次甩干數量1-25塊 4.作業程序：沖洗、烘干的步驟順序、時間、 轉速等可分段編輯，（可設 recipe 為 10 個）

分子束外延薄膜沉積系統MBE 是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐，就可以制取多元半導體混晶，又可以同時進行摻雜。可以精確地控制結晶生長，進行沉積系統中結晶生長過程的研究。

MOCVD設備是通過將反應物質以有機金屬化合物氣體分子的形式，經載帶氣體送到反應室，進行熱分解反應而生長出薄膜材料。應用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

提供深硅蝕刻（DSiE）領域的MEMS，封裝和納米技術的廣泛應用，從光滑側壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實現。

離子束刻蝕系統IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

在噴涂法中，噴嘴將要涂抹的溶液噴在晶圓上。經過優化后的晶圓上方噴嘴移動路徑可以實現在襯底上均勻的涂層。 噴涂所用的液體通常粘度極低，以確保形成細小的液滴