1. 產(chǎn)品概述

分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個(gè)噴射爐，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶，又可以同時(shí)進(jìn)行摻雜。可以精確地控制結(jié)晶生長(zhǎng)，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長(zhǎng)過程的研究。

2. 設(shè)備特點(diǎn)

分子束外延，是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在溫度保持在100°以上的單晶基片上。如果設(shè)置幾個(gè)噴射爐，就可以制取多元半導(dǎo)體混晶，又可以同時(shí)進(jìn)行摻雜。可以精確地控制結(jié)晶生長(zhǎng)，進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長(zhǎng)過程的研究。

12個(gè)源爐：鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等；

襯底：大4inch ；

高溫度：1000°C 溫度均勻性：≤±3°C（4inch）；

超高真空下全自動(dòng)樣品轉(zhuǎn)移；

用于過程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控功能；

一個(gè)集群上多7個(gè)超高真空功能單元：裝載、儲(chǔ)存、翻轉(zhuǎn)、處理、排氣、生長(zhǎng)，外部腔室；

可連接其他分析設(shè)備或其他：ALD、PLD、PVD、金屬化、STM。