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詳細介紹
1. 產品概述
分子束外延薄膜沉積系統MBE 是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐，就可以制取多元半導體混晶，又可以同時進行摻雜。可以精確地控制結晶生長，進行沉積系統中結晶生長過程的研究。
2. 設備特點
分子束外延，是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在溫度保持在100°以上的單晶基片上。如果設置幾個噴射爐，就可以制取多元半導體混晶，又可以同時進行摻雜。可以精確地控制結晶生長，進行沉積系統中結晶生長過程的研究。
12個源爐：鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等；
襯底：大4inch ；
高溫度：1000°C 溫度均勻性：≤±3°C（4inch）；
超高真空下全自動樣品轉移；
用于過程控制和分析的所有現代現場監控功能；
一個集群上多7個超高真空功能單元：裝載、儲存、翻轉、處理、排氣、生長，外部腔室；
可連接其他分析設備或其他：ALD、PLD、PVD、金屬化、STM。
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