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RIE-802BCT深硅刻蝕設備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產用硅深孔系統。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環，以及高精度的晶圓對準器。該高性能系統能夠進行高長寬比加工（超過100）和低扇形加工，同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。

ELEDE® 380系列 芯片刻蝕機，優良的等離子體發生裝置，適用多種材料刻蝕，工藝窗口寬。

GDE C200系列 高密度 刻蝕機，等離子體源和頻率設計，等離子體密度高，適用于強鍵合材料刻蝕。

NMC 508系列 ICP刻蝕機是電感耦合高密度等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蝕機，具有高精度、高選擇性和高效率等特點。該設備廣泛應用于半導體制造、微電子制造、光電子制造等領域，特別是在集成電路、微機電系統（MEMS）、光電子器件等制造過程中發揮著重要作用。

NMC 612G 12英寸金屬刻蝕機，可用于鋁、硅，氧化物、鉬、氧化銦錫等多種材料刻蝕。

NMC 508系列 CCP介質刻蝕機，多頻解耦設計，實現優異的均勻性及高深寬比介質刻蝕。