在线观看欧美视频,久久成人性色,东北色p小视频在线看,日韩无码最新网址

歡迎來到深圳市矢量科學儀器有限公司網站！
咨詢熱線

當前位置：首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  3 CVD  >  PECVD高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統

高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統

簡要描述：產品概述：
系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。

設備用途：
團簇型等離子體化學氣相沉積設備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

  • 產品型號：PECVD
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2025-06-05
  • 訪  問  量： 363

詳細介紹

產品概述：
系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。

設備用途：
團簇型等離子體化學氣相沉積設備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制備非晶硅、微晶硅薄膜太陽能電池器件。

真空室結構:
1個中央傳輸室：蝶形結構；3個沉積室：方形結構； 1個進樣室：方形結構


真空室尺寸:
中央傳輸室：Φ1000×280mm ； 沉積室：260×260×280mm ；進樣室：300×300×300mm


極限真空度:
中央傳輸室：6.67E-4 Pa；沉積室：6.67E-6 Pa ；進樣室：6.67 Pa


沉積源:


樣品尺寸，溫度:
114X114X3mm， 加熱溫度350度，機械手傳遞樣品


占地面積（長x寬x高）:
約13米x9米x2.3米（設計待定）


電控描述:
全自動


工藝:
在80X80mm范圍內硅膜的厚度均勻性優于±5%


特色參數 :
共有8路工作氣體




產品咨詢

留言框

  • 產品：

  • 您的單位：

  • 您的姓名：

  • 聯系電話：

  • 常用郵箱：

  • 省份：

  • 詳細地址：

  • 補充說明：

  • 驗證碼：

    請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7