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高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積

簡要描述:高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。
本系統具有PECVD功能和熱絲CVD功能。
設備用途:
PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。

  • 產品型號:PECVD
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-08-13
  • 訪  問  量: 297

詳細介紹

產品概述:
系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。
本系統具有PECVD功能和熱絲CVD功能。

設備用途:
PECVD即是化學氣相沉積法,是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域,PCEVD是等離子體增強化學氣相沉積英文的各個詞字母的字母。

真空室結構:
圓筒形上升蓋


真空室尺寸:
φ400x300mm


極限真空度:
≤6.67E-5Pa


沉積源:
設計待定


樣品尺寸,溫度:
φ4英寸,1片,最高600℃


占地面積(長x寬x高):
約2.6米x1.6米x1.8米


電控描述:
全自動


工藝:


特色參數 :






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