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詳細介紹
SENTECH SI PEALD系統具有真正的遠程等離子體源，可在低溫<100°C）下對敏感基材和層進行均勻和保形涂層的涂層。 在樣品表面提供高通量的反應性氣體種類，而沒有紫外線輻射或離子轟擊。
原子層沉積技術的特點是能夠沉積保形和均勻的薄膜，并在原子水平上精確控制厚度，并繼續在半導體器件中發揮越來越大的作用，例如高介電原理材料的沉積。原子層沉積的一些主要應用包括傳感器、光電子學和 2D 材料。
AL 實時監測器的原位診斷可實現單個 ALD 周期的超高分辨率。其優點是確認原子層沉積（ALD）制度，縮短處理時間，并降低總擁有成本。光譜橢圓偏振儀也作為原位診斷提供，為我們的原子層沉積系統具有特定的優勢。
定期清潔反應器對于穩定和可重復的原子層沉積處理至關重要。在用于清潔我們的原子層沉積系統的提升裝置的幫助下，可以很容易地打開反應器室。
原子層沉積系統可作為SENTECH集群工具的模塊使用。我們的原子層沉積系統可以與SENTECH PECVD和蝕刻系統結合使用，用于工業應用。集群工具可選地具有盒到盒加載功能。
SENTECH ALD系統與不同供應商的手套箱兼容。
SENTECH 原子層沉積系統允許將不同的熱和/或等離子體增強原子層沉積膜組合成多層結構。熱和等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 支持在一個具有最佳快門的反應器中。
SENTECH使用AL實時監測儀以及寬范圍光譜橢圓偏振儀，對逐層薄膜生長進行的、超快速的原位監測。
SENTECH 原子層沉積系統可實現熱和等離子體增強操作。我們的原子層沉積系統可以配置為氧化物、氮化物、二維材料沉積。3D結構可以均勻和保形涂層。憑借 ALD、PECVD 和 ICPECVD，SENTECH 提供等離子體沉積技術，用于沉積納米級至幾微米的薄膜。
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