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等離子體刻蝕設備

簡要描述:高密度等離子體刻蝕設備系統采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統配備了真空盒室,是一套完整的生產系統,具有優良的工藝重復性和穩定性。

  • 產品型號:RIE-800iPC
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2025-06-05
  • 訪  問  量: 430

詳細介紹

1. 產品概述

高密度等離子體蝕刻系統采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統配備了真空盒室,是一套完整的生產系統,具有優良的工藝重復性和穩定性。

2. 設備用途/原理

GaN、GaAs、InP等化合物半導體的高精度加工。SiC、SiO?的高速加工。蝕刻鐵電材料(PZT、BST、SBT、SBT)、電材料(Pt、Au、Ru、Al)和其他難以蝕刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

3. 設備特點

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效穩定地應用高射頻功率(2千瓦以上),并實現良好的均勻性。大流量排氣系統排氣系統直接連接到反應室,可以實現從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。下電升降機構晶片和等離子體之間的距離經過優化,以確保良好的平面內均勻性。易于維護的設計TMP(渦輪分子泵)集成在設備中,便于更換。


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