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電感耦合等離子體 （ICP） 沉積系統，SENTECH SI 500 D 用于介電膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及用于鈍化層的低損傷、低溫沉積。 SENTECH SI 500 D ICPECVD 系統代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理在研究和工業中等離子體增強化學氣相沉積介電薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的優勢。該系統包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態溫控基板電

PlasmaPro 100 Nano 用于生長1D / 2D納米材料和異質結構的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過在線催化劑活化和嚴格的工藝控制，實現納米材料的高性能生長。

FlexAL系統可提供遠程等離子體原子層沉積（ALD），這為納米結構和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。ALD產品家族涵蓋的系列設備可以滿足學術界、企業研發和小規模生產的多種需求。

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枚葉式等離子CVD設備CMD系列 CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式CVD設備。

Load-lock式Plasma CVD設備 CC-200/400 Load-lock式Plasma CVD設備CC-200/400是小型的使用便利的可對應從研究開發到量產的設備。