基于SUSS MicroTec的光刻機經典設計，MA100/150e Gen2提供了工藝延展性，使客戶能夠將新的芯片設計快速投入市場，其光刻作業產量高達每小時145片。

MA100/150e Gen2針對上至4英寸的小尺寸晶圓片進行了特別優化設計。系統可以穩定地達到優于0.7µm的對準精度（直接對準）。選配的底部對準功能（BSA），對準精確度優于±1.5 µm。MA100/150e的對準單元針對LED制造工藝要求進行了特別調校，透明和表面粗糙的晶圓片都能獲得好的對比度。

將一個已形成結構的掩模與圓晶對齊，然后將掩模與圓晶的距離縮得非常小（因此又叫“接近式光刻"）。 在曝光過程中，掩模結構的影子被轉移到圓晶上。 掩模于圓晶之間距離的精度以及曝光鏡頭系統的質量，一起決定了曝光結果的質量。

該方法因為速度快，應用靈活，從而成為微結構生產具有成本效益的方法，它能生產出最小4微米的微結構。 接觸式曝光能達到亞微米級別的分辨率。 典型的應用范圍包括圓晶級芯片尺寸封裝、倒裝芯片封裝、凸點、微電子機械系統（MEMS）、LED和電力設備等領域。 這些系統被應用到了大規模生產的以及工業研究領域中。