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詳細介紹
1. 產品概述
PD-220N是用于沉積各種硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等離子體CVD系統。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統系統小40%。 從研究到半大規模生產，它的應用范圍很廣。
2. 設備用途/原理
各種硅基薄膜的形成，可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。
3. 設備特點
可在?8英寸晶圓上沉積，盡管設計緊湊，但該系統能夠在5塊?3英寸晶圓、3塊?4英寸晶圓和1塊?8英寸晶圓上同時沉積。TEOS-SiO2成膜系統可擴展，可增加TEOS等溫室裝置。等離子體化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用等離子體激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態膜的技術。按產生等離子體的方法，分為射頻等離子體、直流等離子體和微波等離子體CVD等。
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