1. 產品概述：

垂直梯度凝固法系統 Kronos 是 PVA TePla 公司推出的一種先進材料制備設備。它主要利用垂直梯度凝固技術，在特定的溫度和氣氛條件下，使材料從熔體中定向凝固生長，從而獲得高質量、具有特定晶體結構和性能的材料。

2. 設備應用：

· 半導體材料領域：用于生長半導體晶體，如硅、鍺等，這些晶體是制造集成電路、電子器件的基礎材料，所生長的高質量晶體可以提高半導體器件的性能和可靠性。

· 光電材料領域：可制備用于發光二極管（LED）、激光二極管等器件的材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，有助于提升光電轉換效率和發光性能。

· 太陽能電池領域：用于生產太陽能電池用的硅基材料，通過精確控制晶體生長過程，提高太陽能電池的光電轉換效率和穩定性。

3. 設備特點：

· 高精度溫度控制：配備先進的溫度控制系統，能夠在整個生長過程中精確控制溫度梯度，確保晶體生長的穩定性和均勻性，從而獲得高質量的晶體材料。例如，在生長硅晶體時，可精確控制溫度在極小的范圍內波動，保證硅晶體的結構完整性和電學性能。

· 優化的生長氣氛：可以精確控制生長環境中的氣體成分和壓力，為晶體生長創造最佳的氣氛條件，有效減少雜質和缺陷的形成。比如在生長某些對氧含量敏感的晶體時，能嚴格控制氧氣的含量，防止晶體被氧化。

· 自動化程度高：系統具備高度自動化的操作流程，從材料裝填、生長參數設置到生長過程監控和結束后的處理，都可以實現自動化控制，減少了人工干預帶來的誤差和不確定性，提高了生產效率和產品質量的穩定性。

· 可定制化：能夠根據不同用戶的需求和特定材料的生長要求，進行定制化的設計和調整，滿足多樣化的科研和生產需求。例如，對于不同尺寸和形狀的晶體生長需求，可調整設備的腔體結構和相關部件

4. 產品參數（以部分為例）：

材料：砷化鎵，磷化銦

坩堝直徑：4–6"

坩堝高度:高達450 mm

爐室直徑：800 mm

爐室高度:975 mm

工作壓力:大40 bar

尺寸規格

高度:2,900 mm

寬度:1,650 mm

深度:1,350 mm

設備總重量:3,500 kg