CGS1218單晶爐的特點是其擁有一個組合式爐室，并允許在同樣的熱工條件下改變加料量。該系統可裝載 32 – 36英寸熱場，并配有交互式軟件系統控制的單個或雙攝像頭。

產品數據概覽:

最大晶棒直徑： 12- 18英寸

晶棒長度： 最大2,100 毫米

裝料容量 300公斤-450公斤

熱場 32 – 36英寸

該晶體生長系統作為半導體行業的重要組成部分具有以下特點：

精確性：通過精密儀器制造的驅動單元夠實現可重復的工藝控制并生產出最佳品質的晶體。

堅固性：爐體部件由高質量的不銹鋼制成，其內表面經過高精度拋光，以便達到耐用性和潔凈等級方面的最高要求。

安全性：高度的自動化和額為增設的安全系統可以確保在先進的生產環境中使用。

定制化：憑借多年的開發經驗、專業知識以及提供多種部件更換和組合方式，PVA晶體生長系統根據不同客戶的特定需求提供最佳解決方案。

支持與服務：您可以通過直接聯系PVA晶體生長系統專家進行“點對點"的溝通，獲得系統的備件服務以及系統的調整和優化服務。

偶然將籽晶意外浸入熔融錫中，無意間發現了目前微電子領域中最重要的晶體生長工藝，該工藝是實現工業、科學和社會的快速數字化轉型的基礎。柴可拉斯基法（直拉法）以揚·柴可拉斯基的名字來命名，該技術為工業化生產而開發，目前用于生產直徑達300毫米、重量為500公斤的硅晶體。為此，當溫度達到大約1410℃時，高純硅作為半導體材料會在石英坩堝中熔化，并通過控制程序，按照工藝要求將單晶硅錠從熔體中拉出。