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FZ-30和FZ-35區熔晶體生長系統專為工業生產直徑達200毫米（8英寸）的單晶硅晶體而設計。根據源棒的尺寸，可以拉出長度為2000毫米的晶體。在這個過程中，晶體的直徑和液態區的高度可以用攝像系統來監測。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高極限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染。

單腔立式甩干機適用于晶圓直徑至200mm；25片晶圓單盒工藝；標準的高邊和低邊花籃；可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝；用冷或熱的N2輔助晶圓干燥；離心頭容易更換。 去靜電裝置安裝于工藝腔室區：去離子水回收；去阻率檢測裝置；機械手自動加載；可放置臺面操作的設備、單立、雙腔；去離子水加熱系統；底座置放不銹鋼滾輪；溶劑滅火裝置；適用特殊設計的花籃。

FZ-14M(G)區熔晶體生長系統為制備單晶硅晶體樣品而設計開發，該系統用于工業多晶硅生產中的材料分析。生產過程中的小型多晶體樣品在氬氣環境中被感應熔化，并在籽晶上結晶，形成單晶，然后進行光譜分析，以檢測和記錄所生產的多晶硅質量。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高極限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染。

FZ-14 區熔晶體生長系統是專為工業生產直徑達100毫米（4英寸）的單晶硅晶體而設計。根據源棒的尺寸，可以拉出長度達1. 1米的晶體。在這個過程中，晶體的直徑和液體區的高度可以通過攝像系統來監測。并且該系統的上部主軸和線圈都是自動定位的。該系統采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產生高極限真空環境，有效地防止了工藝過程中的污染，同時還能將氮氣以受控的方式引入工藝爐體。

主要用于對硅材料行業中多晶硅塊進行清洗干燥處理

CGS-Lab單晶爐是PVA產品線中最小的直拉法晶體生長系統，專門為研究所和實驗室設計。10 英寸熱系統的設計用于最多 5 公斤的加料量和生長直徑為 100 毫米、長度為 300 毫米的硅錠。設備開爐狀態時高度為3.4米，對安裝場地的高度要求相當低。晶體提升速度和旋轉速度適用于生產特定尺寸的晶棒。